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服務熱線：
產(chǎn)品特點：
3nm@30kV（SE），8nm@3kV（SE），4nm@30kV（BSE）
翻開式預對中燈絲，方便更換
不少于8個可擴展接口，可接 WDS、EDS、BSE、EBSD等多種探測器
技術指標：
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分辨率 |
3nm@30kV（SE），8nm@3kV（SE），4nm@30kV（BSE） |
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放大倍數(shù) |
5倍-300000倍，可調(diào) |
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電子槍 |
預對中鎢陰極燈絲 |
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加速電壓 |
0～30kV，連續(xù)可調(diào) |
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自動調(diào)整功能 |
自動對中、聚焦、亮度、對比度、消像散 |
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探測器 |
二次電子探測器、背散射電子探測器、紅外CCD，束流測量裝置 |
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真空系統(tǒng) |
抽真空系統(tǒng)：渦輪分子泵 + 機械泵。 樣品室最高真空度優(yōu)于9X10-3Pa。 抽真空時間：≤4分鐘 |
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樣品臺 |
五軸樣品臺： 行程：X=70mm,Y=50mm,Z=60mm，R=360°，T=-10°～+70° 較大樣品直徑: Ф210mm； 較大樣品高度：60mm； 驅(qū)動方式：馬達驅(qū)動； 樣品臺承重：2kg 其他功能：碰撞報警功能。 |
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能譜儀 |
探測器：硅漂移探測器 有效晶體面積：30mm2 元素探測范圍：B(5) ~ Cf(98) 分辨率：Mn Kα≤129eV @100,000cps 較大輸入計數(shù)率 >1,000,000cps 定量分析計數(shù)率 >100,000cps 1個探測器，2個圖像通道 圖像分辨率：最大8K（可調(diào)節(jié)） X射線掃描分辨率：最大8K 應用定性及定量分析方法 具有圖譜采集功能 |
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濺射儀 |
離子濺射儀工作原理：磁控濺射 可選靶材：金，鉑，金鈀合金，鉛，銀，銅，鉻，銻等 全自動操作，簡單易用，非常適用鎢燈絲、臺式掃描電鏡等 濺射電流自動調(diào)整——設定濺射電流后，系統(tǒng)自動調(diào)節(jié)真空度，從而達到設定的濺射電流，調(diào)整時間＜5s，波動范圍＜±5%； 無需按“實驗”鍵調(diào)整濺射電流、無需操作“進氣閥”。 真空室：φ128×100高硅硼玻璃 濺射時間自動記憶——同類樣品一次設定即可； 參數(shù)改變自動調(diào)整——濺射過程中可以隨時調(diào)整濺射電流和濺射時長，系統(tǒng)自動計算疊加，無需終止濺射過程； 工作完成自動放氣； 樣品臺高度調(diào)節(jié)1秒完成； 濺射過程可以利用曲線顯示，清晰直觀。 極限真空：小于1Pa 軟硬件互鎖，防誤操作，安全可靠 濺射電流高于50mA，停止濺射過程； 真空泵工作時，系統(tǒng)無法進行放氣操作； 鍍層均勻，導電性良好 |
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選配探測器 |
BSE、EDS、EBSD、CL、EBIC等 |
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